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EV、HEV用IGBT模块(6MBI800XV-075V-01)的新产品信息

2019-07-01 10:27:04 Westpac Electronics 451

EV、HEV用IGBT模块

采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块
产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外,还内置有用于检测温度的热敏电阻。

EV、HEV用IGBT模块 750V级

FUJI富士IGBT威柏德电子

※DIANJICHANPINTUXIANGJIKECHAKANDENGXIAODIANLUTU。

VCE(sat): at Tvj=25°C, Chip

PackageDevice typeVCES
Volt
IC(Cont)
Amps.
IC(Peak)
Amps.
VCE(sat)
Typ. Volts
VF
Typ. Volts
Net mass Grams








M653
75057016001.45 (IC=800A)1.50 (IF=800A)560g

CONGFANGZHIDIQIUBIANNUANHEGAISHANDAQIHUANJINGDENGDEJIAODULAIKAN,CHUNDIANDONGQICHE(EV)HEHUNHEDONGLIQICHE(HEV)DEPUJIBEISHOUQIDAI。

WEILEJIANQINGHUANJINGFUDAN、TISHENGXUHANGLICHENG,EV、HEVNULIJIANGDIYOUHAO(DIANFEI),ZHUIQIUDAZAIBUPINDEXIAOXING、QINGLIANGHUA。

WEILEMANZUZHEIYIXUQIUWOMENJIANG“DIANZHUANGYONGZHIJIESHUILENGXINGGONGLVMOKUAI”(IGBTMOKUAI)CHANPINHUA。

IGBT WEIJIENENGZUOGONGXIAN

※1 RC-IGBT : Reverse Conductive Insulated Gate Bipolar Transistor 6MBI800XV-075V-01

MTET0-3119-CN

・TONGGUOCAIYONGDI 7 DAI RC-IGBT※1 HESHUILENGSANREQIYITIJIEGOU,YUCHUANTONGJIXINGXIANGBIDIANLI

DIANLIUMIDUTISHENGLE 40%。SHIXIANLEMOKUAIDEXIAOXINGHUA。

・TONGGUOERGEXINPIANSHANGDAZAIDECHUANGANQISHIXIANGAOSU、GAOJINGDUDEGUOREBAOHU、DUANLUBAOHU。TI

SHENGLEANQUANXING。

・TONGGUOCHAOBOXING 23.5mm DEJIEGOUHEFALANJIEGOU,QINGSONGSHIXIANLEYUQUDONGDIANJIDEYITIHUA。

1. TONGGUO7G-RCJISHUHE3GSANREQISHIXIANLEXIAOXINGHUA

CAIYONG①7G-RC(DI 7 DAI RC-IGBT)JISHUHE②3G LENGQUEQI(SHUILENGSAN

REQIHEMOKUAIYITIHUA),YUWOSIYIWANGXINGHAOXIANGBIDIANLIUMIDUTISHENGLE

40%,SHIXIANLEMOKUAIDEXIAOXINGHUA。

YONGYOUCHAOGUO 20 NIANDE Fe DUYOUJISHU,TONGGUODAZAILIANGGEXINPIANCHUANGANQI①WEN

DUJIANCEERJIGUANHE②DIANLIUCHUANGANQI IGBT,SHIXIANGAOSUQIEGAOJINGDUDEGUORE

BAOHU、DUANLUBAOHU,BAOHUKEHUDEANQUAN。

TONGGUOLIYONGMOKUAISHUILENGSANREQIYITIHUASHIXIANMOKUAIBOXINGHUAHECAIYONGFALANJIE

GOU,QINGSONGSHIXIANLEMOKUAI、QUDONGDIANJIDEYITIHUA。

LIYONGPINGGUGONGJUJIANDAN、ANQUANDIPINGGUMOKUAITEXING。

TONGGUOQUDONGDIANLUSHEJIANLILAIZHICHIKEHUXITONGSHEJI。

XIANGQINGQINGZIXUNDAILIDIAN、GEXIAOSHOUBUMEN。

DIANYA: VCES

DIANLIU: I

CN

YONGTU 

SHUCHU

VDC

I

CZUIDA

I

CEDING

f

SW

BAOHEDIANYA VCE(SAT)

NEIBUGOUZAO

6MBI800XV-075V-01

700V/750V @Tj

=-40/175°C

800A

1.45V/1.65V Typ.@Tj

=25/175°C

6 in 1

3XIANGDIANJIYONGNIBIANQI

80~150kW

400V

460Arms@1sec

430Arms

6kHz

162 x 117 x 23.5(mm) / 560(g)

ZUIDAEDINGZHI

CANKAOGOUZAOSHILI

CHICUN / ZHONGLIANG

XINGHAO

3. YIYUSHIXIANKEHUXITONGDEXIAOXINGHUA

2. LIYONGGAOJINGDUBAOHUGONGNENGTIGAOLEANQUANXING

4. LIYONGPINGGUGONGJUSUODUANSHEJISHIJIAN

G: Gate terminal

E: Emitter terminal

S: Sense terminal (Current mirrer emitter)

A: Anode terminal (Temperature sensing diode)

K: Kathode terminal (Temperature sensing diode)

P: Potential 

* one arm is including two chips.

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