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EV、HEV用IGBT模块(6MBI800XV-075V-01)的新产品信息
EV、HEV用IGBT模块
采用直接水冷铜散热片基础结构、实现了高功率密度和小型封装的EV、HEV用IGBT模块
产品中分别内置有6个IGBT和FWD。此外，还内置有用于检测温度的热敏电阻。
EV、HEV用IGBT模块 750V级
※DIANJICHANPINTUXIANGJIKECHAKANDENGXIAODIANLUTU。
VCE(sat): at Tvj=25°C, Chip
| Package | Device type | VCES Volt | IC(Cont) Amps. | IC(Peak) Amps. | VCE(sat) Typ. Volts | VF Typ. Volts | Net mass Grams | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M653 | 750 | 570 | 1600 | 1.45 (IC=800A) | 1.50 (IF=800A) | 560g |
CONGFANGZHIDIQIUBIANNUANHEGAISHANDAQIHUANJINGDENGDEJIAODULAIKAN，CHUNDIANDONGQICHE（EV）HEHUNHEDONGLIQICHE（HEV）DEPUJIBEISHOUQIDAI。
WEILEJIANQINGHUANJINGFUDAN、TISHENGXUHANGLICHENG，EV、HEVNULIJIANGDIYOUHAO（DIANFEI），ZHUIQIUDAZAIBUPINDEXIAOXING、QINGLIANGHUA。
WEILEMANZUZHEIYIXUQIUWOMENJIANG“DIANZHUANGYONGZHIJIESHUILENGXINGGONGLVMOKUAI”（IGBTMOKUAI）CHANPINHUA。
IGBT WEIJIENENGZUOGONGXIAN
※1 RC-IGBT : Reverse Conductive Insulated Gate Bipolar Transistor 6MBI800XV-075V-01
MTET0-3119-CN
・TONGGUOCAIYONGDI 7 DAI RC-IGBT※1 HESHUILENGSANREQIYITIJIEGOU，YUCHUANTONGJIXINGXIANGBIDIANLI
DIANLIUMIDUTISHENGLE 40%。SHIXIANLEMOKUAIDEXIAOXINGHUA。
・TONGGUOERGEXINPIANSHANGDAZAIDECHUANGANQISHIXIANGAOSU、GAOJINGDUDEGUOREBAOHU、DUANLUBAOHU。TI
SHENGLEANQUANXING。
・TONGGUOCHAOBOXING 23.5mm DEJIEGOUHEFALANJIEGOU，QINGSONGSHIXIANLEYUQUDONGDIANJIDEYITIHUA。
1. TONGGUO7G-RCJISHUHE3GSANREQISHIXIANLEXIAOXINGHUA
CAIYONG①7G-RC（DI 7 DAI RC-IGBT）JISHUHE②3G LENGQUEQI（SHUILENGSAN
REQIHEMOKUAIYITIHUA），YUWOSIYIWANGXINGHAOXIANGBIDIANLIUMIDUTISHENGLE
40%，SHIXIANLEMOKUAIDEXIAOXINGHUA。
YONGYOUCHAOGUO 20 NIANDE Fe DUYOUJISHU，TONGGUODAZAILIANGGEXINPIANCHUANGANQI①WEN
DUJIANCEERJIGUANHE②DIANLIUCHUANGANQI IGBT，SHIXIANGAOSUQIEGAOJINGDUDEGUORE
BAOHU、DUANLUBAOHU，BAOHUKEHUDEANQUAN。
TONGGUOLIYONGMOKUAISHUILENGSANREQIYITIHUASHIXIANMOKUAIBOXINGHUAHECAIYONGFALANJIE
GOU，QINGSONGSHIXIANLEMOKUAI、QUDONGDIANJIDEYITIHUA。
LIYONGPINGGUGONGJUJIANDAN、ANQUANDIPINGGUMOKUAITEXING。
TONGGUOQUDONGDIANLUSHEJIANLILAIZHICHIKEHUXITONGSHEJI。
XIANGQINGQINGZIXUNDAILIDIAN、GEXIAOSHOUBUMEN。
DIANYA： VCES
DIANLIU： I
CN
YONGTU
SHUCHU
VDC
I
CZUIDA
I
CEDING
f
SW
BAOHEDIANYA VCE(SAT)
NEIBUGOUZAO
6MBI800XV-075V-01
700V/750V ＠Tj
=-40/175°C
800A
1.45V/1.65V Typ.＠Tj
=25/175°C
6 in 1
3XIANGDIANJIYONGNIBIANQI
80~150kW
400V
460Arms@1sec
430Arms
6kHz
162 x 117 x 23.5(mm) / 560(g)
ZUIDAEDINGZHI
CANKAOGOUZAOSHILI
CHICUN / ZHONGLIANG
XINGHAO
3. YIYUSHIXIANKEHUXITONGDEXIAOXINGHUA
2. LIYONGGAOJINGDUBAOHUGONGNENGTIGAOLEANQUANXING
4. LIYONGPINGGUGONGJUSUODUANSHEJISHIJIAN
G: Gate terminal
E: Emitter terminal
S: Sense terminal (Current mirrer emitter)
A: Anode terminal (Temperature sensing diode)
K: Kathode terminal (Temperature sensing diode)
P: Potential
* one arm is including two chips.
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